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          碳化硅、白剛玉等磨料微粉是如何進行顆粒整形?[ 11-02 16:00 ]
          隨著新材料產業的發展、傳統產業的技術進步和產品升級,工業生產中對粉體原料提出越來越高的要求
          大面積碳化硅陶瓷膜層化學氣相沉積(CVD)技術[ 08-23 16:25 ]
          光刻機等集成電路關鍵制造裝備中某些高性能光學元件對材料制備有著苛刻的要求,不僅要求材料具有高的穩定性,還需滿足某些特定的光學性能要求。反應燒結碳化硅經拋光后其面型精度高,但是該材料是由碳化硅和游離硅組成的兩相材料,在研磨拋光等過程各相的去除速率不一致,無法達到更高的面型精度,因此無法滿足特定光學部件性能要求。 采用反應燒結碳化硅基體結合化學氣相沉積碳化硅(CVDSiC)膜層的方法制備高性能反射鏡,通過優化先驅體種類、沉積溫度、沉積壓力、反應氣體配比、氣體流場、溫度場等關鍵工藝參數,可實現大面積、均勻CVDSi
          碳化硅陶瓷反應連接技術[ 08-22 17:23 ]
          全封閉、中空部件的制備一般采用連接工藝獲得,目前常用的陶瓷連接方法主要有釬焊、擴散焊等,但這些方法均存在工藝復雜、焊接料性能同碳化硅基體差別大等缺點,難以滿足光刻機等集成電路制造裝備對復雜結構部件的使用要求。 根據反應燒結碳化硅的工藝特點,將待粘接零部件進行預處理,并通過粘接料對制品進行粘接,隨后再進行反應燒結,使制品的連接與反應燒結同步完成。通過調節粘接料的組分、控制連接工藝,可實現復雜結構部件的致密、高強度、無縫隙粘接。
          高精度碳化硅陶瓷制品無模成型工藝[ 08-20 16:21 ]
          雖然采用凝膠注模成型工藝可以實現復雜形狀陶瓷制品的近凈尺寸制備,但該工藝對模具要求高,在制備復雜大尺寸部件時需設計和制造模具,增加了時間成本和模具成本,一定程度上制約了該工藝在陶瓷結構件批量化生產中的應用。另一方面,對一些尺寸精度要求高的陶瓷部件,凝膠注模成型工藝則無法滿足其尺寸精度要求。 與傳統“自下而上”的無模成型工藝不同,陶瓷素坯加工工藝(Greenceramicmachining,GCM)是一種“自上而下”的工藝,其原理類似金屬材料或木材的加工過程如車、
          碳化硅陶瓷凝膠注模成型工藝[ 08-19 10:18 ]
          凝膠注成型工藝是制備碳化硅陶瓷部件的基礎,該工藝是一種精細的膠態成型工藝(Colloidalprocessing),可實現大尺寸、復雜結構坯體的高強度、高均勻性、近凈尺寸成型,陶瓷料漿制備是凝膠注模成型工藝中的關鍵環節之一。 就碳化硅在光刻機構件中的應用而言,分散良好、高穩定性水基碳/碳化硅料漿的制備是獲得優質、均勻結構碳/碳化硅坯體的前提。此外,料漿具有高的固相體積分數則可以有效減小陶瓷坯體干燥時的收縮,有利于實現陶瓷部件的近凈尺寸成型。相應地,陶瓷料漿的制備需要解決兩大難題:一是碳和碳化硅兩種陶瓷粉料在相
          集成電路制造裝備用精密陶瓷結構件的特點[ 08-18 16:52 ]
          集成電路制造關鍵技術及裝備主要有包括光刻技術及光刻裝備、薄膜生長技術及裝備、化學機械拋光技術及裝備、高密度后封裝技術及裝備等,均涉及高效率、高精度、高穩定性的運動控制技術和驅動技術,對結構件的精度和結構材料的性能提出了極高的要求。 以光刻機中工件臺為例,該工件臺主要負責完成曝光運動,要求實現高速、大行程、六自由度的納米級超精密運動,如對于100nm分辨率、套刻精度為33nm和線寬為10nm的光刻機,其工件臺定位精度要求達到10nm,掩模硅片同時步進和掃描速度分別達到150nm/s和120nm/s,掩模掃描速度
          固相燒結碳化娃(SSiC)優缺點[ 08-16 14:41 ]
          固相燒結碳化硅晶界較為“干凈”,高溫強度并不隨溫度的升高而變化,一般在溫度達1600℃強度不發生變化。固相燒結碳化硅主要缺點是需較高的燒結溫度(>2000℃),對原材料的純度要求高,燒結體斷裂韌性較低,有較強的裂紋強度敏感性,在結構上表現為晶粒粗大且均勻性差,斷裂模式為典型的穿晶斷裂。 SSiC材質的泵的軸、滑動和密封環具有長使用壽命的多項優勢。在高工作溫度下也具有出色的耐化學性和耐腐蝕性。因此,SSiC是所有需要高耐磨性的領域的最佳陶瓷材料。京瓷可提供定制最大外徑達560毫米的大型精
          如何實現碳化硅晶圓的高效低損傷拋光?[ 08-15 17:33 ]
          SiC晶型結構特點使得SiC材料具有較高硬度與化學穩定性,導致在拋光過程中材料去除率較低,因此探索基于化學機械拋光基本工藝的輔助增效手段,對于實現SiC材料產業化應用和推廣具有重要的意義。 化學機械拋光輔助增效技術材料去除機理本質是通過輔助增效技術手段來控制SiC表面較軟氧化層的形成并從力學上改善SiC氧化層材料的去除方式。目前拋光中的輔助增效手段主要有等離子輔助、催化劑輔助、紫外光輔助和電場輔助。 01等離子輔助工藝 等離子輔助拋光(PlasmaAssistedPolishing,PAP)工藝是
          一張圖:碳化硅這樣提純,能行嗎?[ 07-15 15:40 ]
           
          碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術優點[ 06-09 16:47 ]
          碳化硅耐磨陶瓷膠粘涂層技術具有如下優點: 1、可現場施工,而且施工方法簡單,易于造形,厚度可控制,因此適用范圍廣泛。 2、高附著力,涂層可靠性高,使用壽命長。 3、涂層硬度高,7H左右,致密耐磨,表面光滑,可打磨加工。 4、有多種防護功效,應用范圍相當廣泛。既用于各種裝備構件的防護(密封防滲漏,抗磨,防腐,電絕緣),也可用于各種結構件的修理,達到修舊利廢的目的。 5、涂層有一定的自潤滑功能,摩擦系數相對較低,越磨越光滑,耐磨性能良好。 6、涂層本身不燃,具有良好的阻燃功效。
          氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料[ 05-17 16:02 ]
          氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料是一種特殊的碳化硅制品,20世紀70年代被廣泛應用于磨具磨料以及電陶瓷行業,上世紀80年代我國將該材料進行引入。 氮化硅和碳化硅的密度相近,當柱狀的氮化硅穿插在碳化硅顆粒之間并發生燒結,產生的增韌和強化作用遠遠優于單一材料性能。氮化硅陶瓷的脆性較大,可以與碳化硅材料復合改善脆性,提升斷裂韌性;而且碳化硅材料的熱穩定性與抗氧化能力在與氮化硅復合之后也能得到改善。 氮化硅/碳化硅復合陶瓷材料莫氏硬度為9左右,僅次于金剛石;常溫強度高并且在1200-1400℃時此材料的強度和硬度可以
          碳化硅半導體產業鏈[ 05-13 16:42 ]
          碳化硅半導體產業鏈主要包括“碳化硅高純粉料→單晶襯底→外延片→功率器件→模塊封裝→終端應用”等環節。 1碳化硅高純粉料 碳化硅高純粉料是采用PVT法生長碳化硅單晶的原料,其產品純度直接影響碳化硅單晶的生長質量以及電學性能。 碳化硅粉料有多種合成方式,主要有固相法、液相法和氣相法3種。其中,固相法包括碳熱還原法、自蔓延高溫合成法和機械粉碎法;液相法包括溶膠-凝膠法和聚合物熱分解法;氣相法包括化學氣相沉積法、等離子體法和激光誘導
          在單晶生長方面SiC晶體制備的兩個難點[ 05-08 08:34 ]
          與傳統的單晶硅使用提拉法制備不同,目前規?;LSiC單晶主要采用物理氣相輸運法(PVT)或籽晶的升華法。這也就帶來了SiC晶體制備的兩個難點: 1、生長條件苛刻,需要在高溫下進行。一般而言,SiC氣相生長溫度在2300℃以上,壓力350MPa,而硅僅需1600℃左右。高溫對設備和工藝控制帶來了極高的要求,生產過程幾乎是黑箱操作難以觀測。如果溫度和壓力控制稍有失誤,則會導致生長數天的產品失敗。 2、生長速度慢。PVT法生長SiC的速度緩慢,7天才能生長2cm左右。而硅棒拉晶2-3天即可拉出約2m長的8英
          一圖搞懂碳化硅——起源篇[ 05-01 17:21 ]
           
          SiC的不同晶體結構[ 04-16 13:30 ]
          由于Si與C雙原子層堆積序列的差異會導致不同的晶體結構,SiC有著超過200種(目前已知)同質多型族。 其中最被人熟知的便是立方密排的3C-SiC和六方密排的2H-SiC、4H-SiC、6H-SiC(碳化硅具有優良的物理和化學性能)。 最常用的多型是: 4H-SiC——功率集成電路應用 6H-SiC——射頻應用 在不同的晶面上生長不同的晶錠多型體: 4H-SiC——在碳(C)面晶種上生長 6H-SiC&
          碳化硅陶瓷換熱器的優點[ 04-12 14:14 ]
          碳化硅陶瓷換熱器有以下幾個優點: (1)碳化硅陶瓷換熱器的使用方法直接、簡單、快捷、高效、環保、節能。不需摻冷風及高溫保護,維修成本低,無需對陶瓷換熱器進行任何操作。適用于各種環境的燃氣工業窯爐的余熱回收利用,尤其解決了各種高溫工業窯爐余熱溫度過高無法利用的難題; (2)國家要求陶瓷換熱器溫度≥1000℃,由于它耐高溫,所以就可以放在高溫區域,溫度越高,換熱效果越好,節能越多; (3)高溫情況下替代金屬換熱器; (4)解決化工行業熱交換、耐腐蝕的難題; (5)碳化硅陶瓷換熱器適應
          半絕緣型碳化硅襯底的主要應用[ 03-24 16:23 ]
          半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成氮化鎵射頻器件。碳化硅基氮化鎵射頻器件已成功應用于眾多領域,以無線通信基礎設施和國防應用為主。無線通信基礎設施方面,5G具有大容量、低時延、低功耗、高可靠性等特點,要求射頻器件擁有更高的線性和更高的效率。相比砷化鎵和硅基LDMOS射頻器件,以碳化硅為襯底的氮化鎵射頻器件同時具有碳化硅良好的導熱性能和氮化鎵在高頻段下大功率射頻輸出的優勢,能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能,成為5
          導電型碳化硅襯底的主要應用[ 03-23 16:21 ]
          導電型碳化硅襯底主要應用于制造功率器件。與傳統硅功率器件制作工藝不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上,需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片,并在外延層上制造各類功率器件。碳化硅功率器件具有高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢,將極大地提高現有使用硅基功率器件的能源轉換效率,對高效能源轉換領域產生重大而深遠的影響,主要應用領域有電動汽車/充電樁、光伏新能源、軌道交通、智能電網等。
          碳化硅晶片生產流程及清洗技術[ 03-17 14:52 ]
          碳化硅晶片經過清洗可以有效去除表面沾污和雜質,同時保證不引入新的雜質,從而使最終的碳化硅晶片產品滿足半導體下游客戶的要求。 傳統的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來去除材料表面的污染,但是碳化硅是一種極性晶體,表面帶有一定的電荷,吸附污染物后變得更加難以清洗。
          低翹曲度碳化硅晶體切割技術難點[ 03-16 15:44 ]
          碳化硅的莫氏硬度為9.5,硬度與金剛石接近,只能用金剛石材料進行切割,切割難度大,保證切割過程穩定獲得低翹曲度的晶片是技術難點之一。 為了達到下游外延開盒即用的質量水平,需要對碳化硅襯底表面進行超精密加工,以降低表面粗糙度、表面平整度并達到嚴苛的金屬、顆??刂埔?。 化學機械拋光屬于化學作用和機械作用相結合的技術,碳化硅晶片表面首先與拋光液中的氧化劑發生化學反應,生成一層相對容易去除的軟質層,然后在拋光液中的磨料和拋光墊的機械作用下去除軟質層,在化學作用和機械作用的交替進行的過程中完成表面拋光,過程較為
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