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                    做一片八英寸SiC晶圓生產難點在哪?

                    文章出處:粉體網網責任編輯:作者:山川人氣:-發表時間:2022-05-07 16:27:00【
                    目前以硅基為材料的晶圓已經開始從8英寸邁向了12英寸,硅晶圓的生產經驗是否可以助力SiC晶圓向更大面積發展,與硅晶圓相比,SiC晶圓的生產難點又在哪里?
                     
                    包括SiC在內的第三代半導體產業鏈包括包括襯底→外延→設計→制造→封裝。其中,襯底是所有半導體芯片的底層材料,起到物理支撐、導熱、導電等作用;外延是在襯底材料上生長出新的半導體晶層,這些外延層是制造半導體芯片的重要原料,影響器件的基本性能;設計包括器件設計和集成電路設計,其中器件設計包括半導體器件的結構、材料,與外延相關性很大;制造需要通過光刻、薄膜沉積、刻蝕等復雜工藝流程在外延片上制作出設計好的器件結構和電路;封裝是指將制造好的晶圓切割成裸芯片。
                     
                    SiC器件成本高的一大原因就是SiC襯底制造困難。數據顯示,襯底成本大約占晶片加工總成本的50%,外延片占25%,器件晶圓制造環節20%,封裝測試環節5%。SiC襯底成本高昂,生產工藝還復雜,與硅相比,SiC很難處理。
                     
                    據業內相關人士介紹:“在功率半導體制造的離子注入、薄膜沉積、介質刻蝕、金屬化等環節,8英寸碳化硅與6英寸SiC的差距不大。8英寸SiC的制造難點主要集中在襯底生長、襯底切割加工、氧化工藝。”

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