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                    為什么SiC在高頻下的表現優于IGBT?

                    文章出處:GaN世界網責任編輯:作者:GaN世界人氣:-發表時間:2021-12-20 14:39:00【

                    在大功率應用中,過去主要使用IGBT和雙極晶體管,目的是降低高擊穿電壓下出現的導通電阻。然而,這些設備提供了顯著的開關損耗,導致發熱問題限制了它們在高頻下的使用。使用碳化硅可以制造肖特基勢壘二極管和MOSFET等器件,實現高電壓、低導通電阻和快速運行。

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