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                    碳化硅寬禁帶半導體目前存在的問題

                    文章出處:粉體網網責任編輯:作者:粉體網人氣:-發表時間:2022-05-14 15:50:00【

                    一、大尺寸SiC單晶襯底制備技術仍不成熟。

                    目前國際上已經開發出了8英寸SiC單晶樣品,單晶襯底尺寸仍然偏小、缺陷水平仍然偏高。并且缺乏更高效的SiC單晶襯底加工技術;p型襯底技術的研發較為滯后。

                    二、n型SiC外延生長技術有待進一步提高。

                    三、SiC功率器件的市場優勢尚未完全形成,尚不能撼動目前硅功率半導體器件市場上的主體地位。

                    國際SiC器件領域:SiC功率器件向大容量方向發展受限制;SiC器件工藝技術水平比較低;缺乏統一的測試評價標準。

                    中國SiC功率器件領域存在以下3個方面差距:

                    (1)在SiCMOSFET器件方面的研發進展緩慢,只有少數單位具備獨立的研發能力,產業化水平不容樂觀。

                    (2)SiC芯片主要的工藝設備基本上被國外公司所壟斷,特別是高溫離子注入設備、超高溫退火設備和高質量氧化層生長設備等,國內大規模建立SiC工藝線所采用的關鍵設備基本需要進口。

                    (3)SiC器件高端檢測設備被國外所壟斷。

                    四、目前SiC功率模塊存在的主要問題:

                    (1)采用多芯片并聯的SiC功率模塊,會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無法發揮SiC器件的優良性能;SiC功率模塊雜散參數較大,可靠性不高。

                    (2)SiC功率高溫封裝技術發展滯后。

                    五、SiC功率器件的驅動技術尚不成熟。

                    六、SiC器件的應用模型尚不能全面反映SiC器件的物理特性。一般只適合于對精度要求較低的常規工業場合。

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