碳化硅晶片生產流程及清洗技術
碳化硅晶片經過清洗可以有效去除表面沾污和雜質，同時保證不引入新的雜質，從而使最終的碳化硅晶片產品滿足半導體下游客戶的要求。
傳統的硅襯底材料使用RCA標準清洗方法來去除材料表面的污染，但是碳化硅是一種極性晶體，表面帶有一定的電荷，吸附污染物后變得更加難以清洗。
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