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          碳化硅晶片去除表面損傷的4種常用方法

          文章出處:光刻人的世界網責任編輯:作者:光刻人的世界人氣:-發表時間:2022-05-25 15:30:00【

          碳化硅單晶生長之后是晶碇,而且具有表面缺陷,是沒法直接用于外延的,這就需要加工。其中,滾圓把晶碇做成標準的圓柱體,線切割會把晶碇切割成晶片,各種表征保證加工的方向,而拋光則是提高晶片的質量。

          晶片的表面會有損傷,損傷源于本來晶體生長的缺陷、前面加工步驟中的破壞。對于局部損傷,世界上有四種方法:不管、更換、修補、去除;對于碳化硅表面的損傷層,不管不顧肯定不行,因為會影響器件的成品率;更換晶片,不就是砸自己的飯碗嘛;修補其實是再次生長,現在沒有低成本的方案;而去除是一條還算可行的,用一定的材料廢棄,來提高總體材料的質量。

          SiC表面的損傷層可以通過四種方法去除:

          機械拋光,簡單但會殘留劃痕,適用于初拋;

          化學機械拋光(ChemicalMechanicalPolishing,CMP),引入化學腐蝕去除劃痕,適用于精拋;

          氫氣刻蝕,設備復雜,常用于HTCVD過程;

          等離子輔助拋光,設備復雜,不常用。

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