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          碳化硅單晶生長爐制造技術

          文章出處:粉體網網責任編輯:作者:山川人氣:-發表時間:2022-03-12 15:37:00【

          碳化硅長晶爐是晶體制備的載體,也是晶體生長核心技術中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底,碳化硅長晶爐需要實現高真空度、低真空漏率等各項性能指標,為高質量晶體生長提供適合的熱場實現條件。

          碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心,決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關鍵反應條件。熱場的配置核心是設置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度,以保證熱場內生長的晶體具有較小的原生內應力,同時具備合理可控的生長速率。

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