碳化硅單晶生長爐制造技術
碳化硅長晶爐是晶體制備的載體，也是晶體生長核心技術中的熱場和工藝的重要組成部分。針對不同尺寸、不同導電性能的碳化硅單晶襯底，碳化硅長晶爐需要實現高真空度、低真空漏率等各項性能指標，為高質量晶體生長提供適合的熱場實現條件。
碳化硅單晶生長熱場是碳化硅單晶生長的核心，決定了單晶生長中溫度的軸向和徑向梯度、氣相流場等關鍵反應條件。熱場的配置核心是設置合理的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度，以保證熱場內生長的晶體具有較小的原生內應力，同時具備合理可控的生長速率。
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