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                    SiC相對于Si器件的優勢

                    文章出處:芯TIP網責任編輯:作者:Michael人氣:-發表時間:2022-04-17 15:34:00【

                    SiC相對于Si器件的優勢:

                    •SiC的寬帶隙允許更薄的外延層來阻擋給定的電壓

                    •較薄的漂移層降低了整體器件電阻

                    •更高的電子飽和速度允許更高頻率的運行

                    •SiC的高導熱性允許器件在>200C的高溫下運行

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