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          SiC外延生長常見元素

          文章出處:芯TIP網責任編輯:作者:Michael人氣:-發表時間:2022-04-18 16:40:00【

          SiC外延生長:常見元素

          襯底:

          •用于電力電子的4H多型

          •當前晶圓直徑150mm和200mm

          •定向4°離軸

          •雙面拋光

          •在晶片的硅面上生長的外延

          •需要對硅表面進行仔細的化學機械拋光(cmp)以減少缺陷

          生長參數:

          •溫度~1650oC

          •壓力~50-100mbar

          •硅源

          •碳源

          •摻雜氣體

          •C/Si比率——用于摻雜控制

          •涂層石墨

          外延片表征:

          •厚度-目標和均勻度

          •摻雜-目標和均勻度

          •缺陷(表面缺陷、位錯缺陷)

          •晶圓形狀(弓形等)

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